Исследование влияния параметров основных технологических операций изготовления кремниевой электронной линзы и условий ее хранения на геометрическую форму электронного пучка

Авторы

Тищенко Л. А.^*, Ковалев А. А.^**, Чижиков С. В.^***

Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, 2-я Бауманская ул., 5, стр. 1, Москва, 105005, Россия

*e-mail: leonid.tichenko@gmail.com
**e-mail: kovalevarta@gmail.com
***e-mail: chigikov95@mail.ru

Аннотация

Определены основные технологические операции изготовления кремниевой электронной линзы и их характеристики, оказывающие наибольшее влияние на ее основной электронно-оптический параметр геометрическую форму сечения электронного пучка. Рассмотрено влияние условий хранения электронной линзы на отклонение геометрической формы сечения электронного пучка. Выявлены возможные причины увеличения со временем отклонения геометрической формы сечения электронного пучка, а также разработаны технологические рекомендации по технологическому процессу изготовления электронной линзы и условиям ее хранения для снижения скорости роста отклонения геометрической формы сечения электронного пучка.

Ключевые слова

электронно-лучевая (безмасочная) литография, кремниевая электронная линза, форма электронного пучка

Библиографический список

1. Баранова Л.А., Явор С.Я. Электростатические электронные линзы. – М.: Наука, 1986. – 196 с.

2. Бимурзаев C.Б., Трубицын А.А., Магзом М.М. К теории фокусировки удаленных от оси пучков заряженных частиц в электростатических полях осевой симметрии // Вестник АУЭС. 2012. № 4. С. 46 – 52.

3. Гликман Л.Г., Голоскоков Ю.В. Об одном классе электростатических полей, идеально сохраняющих параллельность плоских однородных пучков заряженных частиц // Журнал технической физики. 2000. Т. 70. № 1. С. 72 – 75.

4. Быков В.А., Борисов К.Ю., Быков Ал.В., Быков Ан.В., Котов В.В., Шиллер В.А. Технологические комплексы наноэлектроники с использованием систем бесшаблонной литографии // Интеграл. 2013. № 3. С. 76 – 82.

5. Гуськова О.П., Воротынцев В.М., Шоболов Е.Л., Абросимова Н.Д. Влияние германия, имплантированного в структуру «диоксид кремния на кремнии», на процессы накопления заряда при воздействии низкоэнергетического стационарного ионизирующего излучения // Материалы электронной техники. 2012. № 4. С. 28 – 32.

6. Кириллов В.Ю., Томилин М.М. Исследование экранирующих свойств гибких материалов с целью их дальнейшего применения для защиты изделий аэрокосмической техники от электромагнитных воздействий // Вестник Московского авиационного института. 2011. Т.18. № 1. С. 121 – 125.

7. Sukumar Basu. Crystalline Silicon – Properties and Uses, InTech. URL: http://www.intechopen.com/books/crystalline-silicon-properties-and-uses

8. Werner Kern. Semiconductor wafer cleaning technology. – New Jersey, Noyes Publications, 1993. – 634 p.

Скачать статью