Применение высокопроизводительных вычислений для исследования электронных и структурных свойств тонких пленок InN и GaN на подложке кремния (111)

Авторы

Абгарян К. К.^*, Бажанов Д. И.^**, Мутигуллин И. В.^***

Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Ленинские горы, 1, Москва, 119991, Россия

*e-mail: kristal83@mail.ru
**e-mail: dmibaz@sols347-5.phys.msu.ru
***e-mail: mutigullin@gmail.com

Аннотация

Проведено исследование из первых принципов атомной и электронной структуры InN и GaN на подложке (111) кремния с помощью расчетов в рамках теории функционала плотности. Результаты расчетов позволяют описать стро¬ение интерфейса InN/Si на атомном уровне и влияние упругих деформаций сжатия и растяжения на ширину запре¬щенной зоны нитридов индия и галлия.

Ключевые слова:

математическое моделирование, расчеты из первых принципов, кристаллические структуры, полупроводниковые гетероструктуры, физика твердого тела, псевдопотенциалы, плотность состояний.