Особенности выбора толщины фоторезиста с целью обеспечения и повышения стабильности процесса литографии при производстве полупроводниковых приборных структур

Авторы

Тищенко Л. А.^*, Ковалев А. А.^**, Маркин А. В.^***

Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, 2-я Бауманская ул., 5, стр. 1, Москва, 105005, Россия

*e-mail: leonid.tichenko@gmail.com
**e-mail: kovalevarta@gmail.com
***e-mail: alexandr_markin_22@mail.ru

Аннотация

Рассмотрена структура проведения экспериментального исследования зависимости дозы энергии излучения, необходимой для полного проявления структур в фоторезисте, от толщины фоторезиста, нанесенного на кремниевые пластины. По результатам исследования проведены оценка и выбор рационального значения толщины фоторезиста с целью обеспечения и повышения стабильности процесса литографии при производстве полупроводниковых приборных структур.

Ключевые слова

фотолитография, фоторезист, энергетическая доза проявления

Библиографический список

1. Макарчук В.В., Родионов И.А., Цветков Ю.Б. Методы литографии в наноинженерии: Учебное пособие. – М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2011. – 175 с.

2. Levinson H.J. Principles of Lithography. Washington: SPIE Optical Engineering Press, 2010. – 504 p.

3. Chris A. Mack, Legband D.A., Jug S. Data Analysis for Photolithography // Microelectronic Engineering. May 1999. Vol. 46. Issues 1-4, pp. 65-68.

4. Chris Mack. Fundamental Principles of Optical Lithography: The Science of Microfabrication. – Austin: Wiley, 2008. – 534 p.

5. Dose-to-clear Swing Curves for Process Optimization. Microlithography Materials and Processes Laboratory (EMCR 676/721). Microelectronic Engineering Department: Rochester Institute of Technology, 4 p.

6. Беднарж Б., Ельцов А.В., Заковал Я., Краличек Я., Юрре Т.А. Светочувствительные полимерные материалы – Л.: Химия, 1985. – 296 с.

7. Задорина Е.Н. Прогностические возможности исследования релаксационной природы термической деструкции полимеров // Вестник Московского авиационного института. 2015. Т. 22. № 3. С. 116-121.

Скачать статью