Некоторые вопросы исследования и разработки процесса сращивания структур «кремний на изоляторе»

Авторы

Тимошенков С. П.^1*, Калугин В. В.^1**, Соколов Л. В.^***, Парфенов Н. М.^2****

1. Национальный исследовательский университет «МИЭТ», 124498, Москва, Зеленоград, пл. Шокина, д. 1
2. Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет), 125993, г. Москва, Волоколамское шоссе, д. 4

*e-mail: spt@miee.ru
**e-mail: viktor118@mail.ru
***e-mail: sokol@niiao.com
****e-mail: pnm334@mai.ru

Аннотация

В настоящее время структуры «кремний на изоляторе» (КНИ) являются перспективной основой в области разви- тия авиационных датчиков давления, микроэлектромеханических систем (МЭМС) устройств и определяют возмож- ность перехода к нанотехнологиям. Применение КНИ позволяет уменьшать размер элементов до 50 нм, а также обес- печить полную электрическую изоляцию отдельных приборов на чипе.

Ключевые слова:

технология сращивания структур КНИ, МЭМС устройства.

Библиографический список

1. Таблицы физических величин: Справочник / Под ред. И.К. Кикоина. - М.: Атомиздат, 1976.

2. Павлушкин Н.М., Сентюрин Г.Г., Ходаковская Р.Я. Практикум по технологии стекла и ситаллов.  Издание 2-е. - М.: Стройиздат, 1970.

3. Kanda Y., Matsuda K., Murayama C., Sugaya J. The mechanism of field-assisted silicon-glass bonding // Sensors and Actuators. V. A21-A23. 1990. р.939.

4. B. Albaugh, P.E. Cade. Mechanisms of anodic bonding of silicon to pyrex // Tech. Dig. Solid-State Sensor and Actuator Workshop. 1988 рр. 109-110.

5. Энергия разрыва химических связей. Потенциалы ионизации и сродство к электроду: Справочное издание / Под ред. В.Н. Кондратьева. - М.: Наука, 1974.

6.  Johansson M., Bengtsson S. Depleted semiinsulating silicon/silicon material formed wafer bonding // Journal of Applied Physics. V. 88. Iss. 2 2000. р.11-18.

7. Yushin G.N. Wafer bonding of wide bandgap materials // Raleigh. 2003. р. 105.

8. Barth P.W. Silicon fusion bonding for fabrication of sensors, actuators and microstructures // Sensors and Actuators. A21-A23. 1990. рр. 919-926.

9. Henmi H., Shoji S., Shiji Y., Yoshimi K., Esashi M. Vacuum packaging for microsensors by glass-silicon anodic bonding // Sensors and Actuators A43. 1994, рр. 243-248.

10. Cozma A., Puers   B. Characterization of the electrostatic bonding of silicon and pyrex glass // J. Micromech. Microeng. 5. 1995, рр. 98-102.

11. Калугин В.В., Дьячков С.А. Анодное соединение элементов микроэлектромеханических приборов // Тезисы доклада на Всероссийской межвузовской научно-технической конференции «Микроэлектроника и информатика-99». Москва. С. 62.

12. Тимошенков С.П., Калугин В.В., Дьячков С.А. Низкотемпературное анодное сращивание образцов кремния // Оборонный комплекс научно-техническому развитию России. 2000. №1. С. 48-51.

13 Тимошенков С.П., Бритков О.М., Зотов С.А., Рубчиц В.Г., Калугин В.В., Тимошенков А.С., Светлов-Прокопьев Е.П. Применение низкотемпературного электростимулированного сращивания чувствительных элементов МЭМС // Тезисы докладов 5-й Международной конференции «Авиация и космонавтика-2006». 2006. Москва. С. 160, 161.

14. Тимошенков С.П., Бритков О.М., Зотов С.А.,Калугин В.В., Прокопьев Е.П. Применение низкотемпературного электростимулированного термического соединения элементов микроэлектромеханических систем // Оборонный комплекс научно-техническому прогрессу России. 2006. №3. С. 21-26.

15.        Albaugh K.B., Rasmussen D.R. Rate processes during anodic bonding // J. Am. Ceram. Soc. 75, 1992. Р. 26-44.

16.  Hurd D.S., Caretta R., Gerberich W.W.  An experimental fracture mechanics study of a strong interface: the silicon glass anodic bond // J. Mater. Res. 10. 1995. Рр. 387-400.

17. Тимошенков С.П., Калугин В.В., Клочко А.В., Калугина И.В., Зотов С.А., Прокопьев Е.П. Исследование и разработка процессов получения микромеханических элементов для СВЧ-приборов // Материалы 17-й Международной Крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (КрыМиКо-2007)». Севастополь. С. 527, 528.